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什么是结电容作用

gecimao 发表于 2019-07-01 16:21 | 查看: | 回复:

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  展开全部结电容就相当于并联在二极管的一个电容.是由于pn结的面积形成的一个电容.

  电容在交流电路中,有通交流的作用,电容的交流阻抗是跟频率有关的,到了工作的上限频率,结电容的容抗就变的很小,就相当于把信号短路了,交流信号反正两方向都能通过二极管,就失去了二极管的作用.

  PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。

  PN结势垒电容主要研究的是多子,是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。

  二极管的PN结之间是存在电容的,而电容是能够通过交流电的。由于结电容通常很小,当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时,通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。但是当加在PN结上的交流电频率较高时,交流电就可以通过PN结的电容形成通路,PN结就部分或完全失去单向导电的特性。

  PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。

  当所加的正向电压升高时,多子(N区的电子、P区的空穴)进入耗尽区,相当于对电容充电。当正向电压减小时,又会有电子、空穴从耗尽区分别流入N区、P区,相当于电容放电。加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,会使P区的空穴进一步远离耗尽区,也相当于对电容的放电。加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于充电。

  PN结势垒电容主要研究的是多子,是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。

  在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。即离结近处,少子数量多,离结远处,少子的数量少,有一定的浓度梯度。

  正向电压增加时,N区将有更多的电子扩散到P区,也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理,正向电压增加时,N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反,正向电压降低时,少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。

  PN结反向偏置时电阻大,电容小,主要为势垒电容。正向偏置时,电容大,取决于扩散电容,电阻小。

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